一、核心原則：劃定區(qū)域劃分的底層邏輯

1. 流程串聯(lián)原則：按 “樣品接收→預(yù)處理→核心實(shí)驗(yàn)（合成 / 制備）→性能檢測(cè)→后處理（清洗 / 危廢）" 的研發(fā)全流程串聯(lián)區(qū)域，減少樣品 / 物料跨區(qū)折返（如預(yù)處理區(qū)緊鄰核心實(shí)驗(yàn)區(qū)，檢測(cè)區(qū)銜接核心實(shí)驗(yàn)區(qū)下游），降低搬運(yùn)損耗與污染風(fēng)險(xiǎn)；

2. 風(fēng)險(xiǎn)梯度原則：按 “污染風(fēng)險(xiǎn)（粉塵 / 腐蝕 / 微生物）+ 危害等級(jí)（高溫 / 高壓 / 劇毒）" 劃分 “清潔區(qū)→半污染區(qū)→高污染區(qū)"，用實(shí)體隔斷（墻體 / 玻璃）與環(huán)境控制（正壓 / 負(fù)壓）隔離，如清潔區(qū)（精密檢測(cè)區(qū)）與高污染區(qū)（化學(xué)合成區(qū)）間距≥5m；

3. 功能適配原則：同一類型功能集中布局（如所有檢測(cè)設(shè)備歸為 “精密檢測(cè)區(qū)"，所有試劑存儲(chǔ)歸為 “試劑存儲(chǔ)區(qū)"），同時(shí)適配材料特性（如半導(dǎo)體材料需獨(dú)立 “防靜電潔凈區(qū)"，生物基材料需獨(dú)立 “無(wú)菌培養(yǎng)區(qū)"），避免功能混雜導(dǎo)致的操作干擾。

二、三大模塊：功能區(qū)域具體劃分與適配場(chǎng)景

   核心實(shí)驗(yàn)區(qū)：新材料研發(fā)的核心操作空間

1. 化學(xué)合成區(qū)（適配高分子 / 半導(dǎo)體前驅(qū)體材料）

• 布局：實(shí)驗(yàn)臺(tái)沿墻面呈 “L 型" 或 “一字型" 排列，預(yù)留≥1.2m 操作通道，每臺(tái)實(shí)驗(yàn)臺(tái)配獨(dú)立水、電、氣接口（氣路含惰性氣體、反應(yīng)氣體，管道用 316L 不銹鋼）；

• 防護(hù)：臺(tái)面上設(shè) PP 材質(zhì)通風(fēng)柜（面風(fēng)速 0.5-0.8m/s），臺(tái)下設(shè)防爆試劑柜（存放有機(jī)溶劑 / 強(qiáng)酸強(qiáng)堿），地面鋪防泄漏 PVC 卷材（坡度≥5‰，向排水槽傾斜），墻面 1.8m 以下貼耐酸瓷磚；

• 適配場(chǎng)景：高分子材料聚合反應(yīng)、半導(dǎo)體前驅(qū)體溶液制備、金屬有機(jī)化合物合成。

• 功能定位：開展溶液反應(yīng)、高溫聚合、試劑調(diào)配等實(shí)驗(yàn)，涉及強(qiáng)腐蝕試劑（如氫氟酸、濃硝酸）與有機(jī)溶劑（如乙醇、甲苯）；

• 區(qū)域要求：

2. 無(wú)菌培養(yǎng)區(qū)（適配生物基 / 細(xì)胞材料）

• 布局：設(shè)獨(dú)立密閉隔間，內(nèi)部按 “更衣緩沖間→無(wú)菌操作間→培養(yǎng)間" 串聯(lián)，緩沖間維持 + 5Pa 正壓，無(wú)菌操作間維持 + 10Pa 正壓，培養(yǎng)間維持 + 8Pa 正壓；

• 設(shè)施：無(wú)菌操作間配二級(jí) A2 型生物安全柜（排風(fēng)經(jīng) HEPA 過(guò)濾）、超凈工作臺(tái)（風(fēng)速 0.38-0.5m/s）；培養(yǎng)間設(shè)恒溫恒濕培養(yǎng)箱（溫度 25±1℃，濕度 60±5%）、CO?培養(yǎng)箱（CO?濃度 5%±0.5%）；

• 適配場(chǎng)景：可降解生物基材料培養(yǎng)、微生物合成新材料、細(xì)胞載體材料研發(fā)。

• 功能定位：開展微生物發(fā)酵、細(xì)胞培養(yǎng)、無(wú)菌合成等實(shí)驗(yàn)，需嚴(yán)格控制微生物污染；

• 區(qū)域要求：

3. 高溫 / 高壓實(shí)驗(yàn)區(qū)（適配陶瓷 / 金屬合金材料）

• 布局：集中布置在實(shí)驗(yàn)室角落，遠(yuǎn)離易燃試劑區(qū)與人員通道，地面設(shè)陶瓷纖維隔熱層（耐溫≤1200℃），周邊預(yù)留≥1.5m 安全距離；

• 設(shè)施：高溫設(shè)備固定在防爆基座上，高壓反應(yīng)釜配壓力安全閥（超壓自動(dòng)泄壓）與溫度報(bào)警裝置（偏差 ±5℃報(bào)警），墻面貼高溫警示標(biāo)識(shí)；

• 適配場(chǎng)景：高性能陶瓷粉末燒結(jié)、金屬合金高溫熔煉、超硬材料高壓合成。

• 功能定位：開展高溫?zé)Y(jié)、高壓反應(yīng)、金屬熔煉等實(shí)驗(yàn)，涉及高溫設(shè)備（如馬弗爐、管式爐）與高壓容器（如高壓反應(yīng)釜）；

• 區(qū)域要求：

4. 潔凈操作區(qū)（適配半導(dǎo)體 / 光電材料）

• 潔凈等級(jí)：ISO 6-7 級(jí)，采用垂直單向流氣流（吊頂滿布 HEPA 送風(fēng)口，風(fēng)速≥0.25m/s），維持 + 12-+15Pa 正壓；

• 設(shè)施：地面用防靜電 304 不銹鋼（表面電阻 1×10?-1×10?Ω），操作臺(tái)面用陶瓷材質(zhì)（耐刻蝕），設(shè)分子過(guò)濾器（吸附 VOCs / 金屬離子，濃度≤10ppb）；

• 適配場(chǎng)景：半導(dǎo)體晶圓預(yù)處理、光電材料鍍膜、透明導(dǎo)電材料制備。

• 功能定位：開展光刻膠涂覆、晶圓清洗、精密鍍膜等實(shí)驗(yàn)，需控制微粒子與分子污染；

• 區(qū)域要求：

三、細(xì)節(jié)優(yōu)化：確保區(qū)域劃分落地性與安全性

1. 隔斷與通道設(shè)計(jì)：

• 高污染區(qū)（合成區(qū) / 危廢區(qū)）用實(shí)體磚墻 + 防火門隔斷，半污染區(qū)（預(yù)處理區(qū)）用鋼化玻璃隔斷（高度≥2.5m），清潔區(qū)（檢測(cè)區(qū)）用玻璃隔斷便于觀察；

• 主通道寬度≥1.5m（適配推車通行），輔助通道寬度≥1m，應(yīng)急通道無(wú)障礙物，出口標(biāo)識(shí)清晰。

2. 標(biāo)識(shí)系統(tǒng)：

• 各區(qū)域門口貼 “功能名稱 + 污染等級(jí) + 準(zhǔn)入要求"（如 “無(wú)菌培養(yǎng)區(qū)：ISO 7 級(jí)，需穿無(wú)菌服"）；

• 高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域貼警示標(biāo)識(shí)（如 “高溫區(qū)：禁止觸摸"“腐蝕區(qū)：穿戴防化服"），設(shè)備與試劑貼操作 / 存儲(chǔ)說(shuō)明。

3. 預(yù)留擴(kuò)展空間：

• 核心實(shí)驗(yàn)區(qū)與輔助區(qū)預(yù)留 10%-15% 空白區(qū)域（如預(yù)留 1 個(gè)實(shí)驗(yàn)臺(tái)位、1 個(gè)試劑柜空間），空白區(qū)域提前鋪設(shè)管線接口（電源 / 氣路 / 水路），便于后期新增設(shè)備或擴(kuò)展功能。